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力合创投:瑞波光电实现国产905nm EEL芯片重大技术突破 焦点快看

来源:证券时报·e公司 发布时间:2023-05-05 15:57:21


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e公司讯,力合创投今日官微消息,力合创投在孵在投企业瑞波光电作为国内激光雷达发射芯片供应商,日前推出具备自主核心技术的新一代3J和4J的低温漂65W、135W、165W 905nm芯片系列,波长随温度变化系数小于0.09nm/K,部分型号达到0.06nm/K,在温度漂移特性已经接近甚至优于VCSEL,实现了国产905nm EEL芯片的重大技术突破,填补了国内空白,同时削弱了VCSEL的竞争优势。据悉,在过去的2022年,瑞波905nm EEL激光雷达发射芯片通过车规AEC-Q102里四项测试项目,包括HTOL、WHTOL、 PTC 和ESD-HBM。瑞波光电目前已经与国内多家头部激光雷达厂商展开深度合作,并实现批量的应用。

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责任编辑:FG003


 

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